Belum lama ini, Elpida, produsen terkemuka untuk RAM, berhasil menyelesaikan pengembangan DDR3 SDRAM dengan proses manufacturing 50 nm, DDR3 akan dapat beroperasi dengan tegangan Vdimm hanya 1,2 V dan mampu menghasilkan bandwidth 2,5 Gbps.

Proses Litography 50 nm ini juga memungkinkan ukuran chip DDR3 mengecil hingga hanya seukuran 40 mm. Tegangan yang lebih rendah juga akan membuatnya lebih efisien untuk penggunaan energi, dibanding DDR3 lain yang masih membutuhkan catuan daya dengan tegangan 1,8 V, 1,5 V, atau 1,35 V, membuatnya cocok untuk penggunaan yang membutuhkan penghematan konsumsi daya seperti pada penggunaan di server maupun data center ataupun pada notebook, dan perangkat mobile lainnya. Rencanya, DDR3 SDRAM 50 nm ini akan mulai diproduksi secara massal pada kuartal pertama tahun 2009 mendatang.

(info : www.elpida.com)